STM32 掉电不丢失，内部Flash读写流程
1.解锁，往flash密钥寄存器FLASH_KEYR中写入KEY1=0x45670123,再往Flash密钥寄存器FLASH_KEYR中写入KEY2=0xCDEF89AB
2.擦除扇区：检查FLASH_SR状态寄存器中的“忙碌寄存器位BSY”，确认当前未执行任何Flash操作；
在FLASH_CR控制寄存器中，将“”“激活页擦除寄存器位PER”置1
用FLASH_AR地址寄存器选择要擦除的页；
将FLASH_CR控制寄存器中的“开始擦除寄存器位STRT”置1，开始擦除
等待BSY位被清零时，表示擦除完成
3.写入数据：检查FLASH_SR状态寄存器中的“忙碌寄存器位BSY”，确认当前未执行任何Flash操作；
FLASH_CR控制寄存器中，将“”“激活编程寄存器位PG”置1
向指定的FALSH存储器地址执行数据写入操作，每次只能以16位的方式写入；
等待BSY位被清零时，表示写入完成
写入的地址要在程序存储空间地址之外
空间大致分为
STM32flash空间
MDK下载设置时需要注意（第一个选项下载时会擦除掉整页）
验证结果：
程序概述 应用flash库函数编写简单很多
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