数据处理思想和程序架构: 单片机stm32f407xxx系列flash存储方案

<p><iframe name="ifd" src="https://mnifdv.cn/resource/cnblogs/单片机知识点总结/directory.html" frameborder="0" scrolling="auto" width="100%" height="1500"></iframe></p>

<iframe frameborder="0" height="1500" name="ifd" scrolling="auto" src="https://mnifdv.cn/resource/cnblogs/单片机知识点总结/directory.html" width="100%"></iframe>

 

说明

因为用到了STM32F407系列的单片机的flash存储数据,所以写了这套程序.

目的是为了在便于存储.

关于407的Flash

1.F407xxx系列的flash都是这个样子

STM32F405xx/407xx and STM32F415xx/417xx 也是这样子

主存储区总共12个扇区,Sector0 - Sector11;

Sector0 - Sector3  每个扇区是16KB = 16*1024 = 16384字节; 总共4个扇区 = 16384*4=65536字节

Sector4 扇区是64KB = 64*1024 = 65536字节; 

Sector5 - Sector11  每个扇区是128KB = 128*1024 = 131072字节; 总共7个扇区 = 131072*7=917504字节

这些扇区加起来总共是1M字节

 

2.关于flash的擦除

2.1

F407的flash擦除的时候要求每次只能擦除某个扇区;

擦除函数是: FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange)

函数的第一个参数是扇区编号,第二个参数填写自己芯片的供电电压范围.一般都是填写 VoltageRange_3

 

 

2.2 关于怎么获取这个编号

 

 

 

 

所以擦除一般都写成: FLASH_EraseSector(/*获取地址对应的扇区编号*/STMFLASH_GetFlashSector(要擦除的地址), VoltageRange_3)

 

2.3 提供给用户的擦除函数

 

 

 

2.关于flash的写入

用户只需要记住,写入的时候写的地址必须是4的倍数,最少写入一个字(4字节)

提供给用户的写入函数:(一般的数据咱不直接使用这个函数存储数据,具体原因接着往下看)

 

 

3.关于flash的读取

 

 

关于本节封装的Flash写读函数思路

1.使用其中一个扇区存储数据,假设使用11扇区,准备一个固定大小(假设是512)的u32类型的数组用来存储数据

 

 

 

 

记住一句话:只要擦除过了的地方,不需要再次擦除就可以写入数据

在下载程序的时候.默认所有的flash都是已经擦除过的.

2.第一次存储

把整个数组全部写到扇区的最前面

 

3.第二次存储(不需要擦除,直接写入就可以因为后面都已经擦除过了)

把整个数组紧接着写到后面

 

 

4.第三次存储(不需要擦除,直接写入就可以因为后面都已经擦除过了)

把整个数组紧接着写到后面

 

 

5.假设写到最后了

我后面空了一点是因为定义的数组大小不一样,不一定正好占满.

 

 

6.接着再写

检测不够了以后,擦除下这个扇区,把数据从头开始存储.

 

 

源码使用

1.打开这节的程序

 

2.使用下面两个文件

 

 

 

3.提示:存储数据的时候是把数据放到这个数组里面,然后调用一下刷新函数.

 

 

4.存储数据

 

 

 

5.读取存储的数据(直接从数组获取)

因为数组里面的值就是存储在flash里面的值,所以直接从数组里面获取即可

 

 

6.读取存储的数据(从flash里面获取)

 

 吃饭中.................