存储器主要可分类为：
- 只读储存器（ROM）
- 闪存（Flash）
- 随机存取存储器（RAM）
- 光/磁介质储存器
一、ROM（只读存储器）
- 不可编程ROM
- 可编程ROM：PROM
- 可擦除可编程ROM：EPROM
- 电可擦除可编程ROM：E2PROM（E2PROM完全可以用软件来擦写，已经非常方便了）
二、Flash（闪存）
- 用于存储设备固件（软件）和配置信息的芯片
- 特性：
- 长期保存数据，掉电不丢失数据，读写速度一般
- 容量：1MB-4GB都有
- 贴片式：TSOP、BGA封装
- 两种主要的Flash闪存技术：
- nor（或非） Flash
- Nand（与非） Flash
- 历史发展：Intel于1988年首先开发出nor Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了 Nand Flash结构，每位的成本被大大降低
nor Flash
- nor Flash的特点是可芯片内执行（eXecute In Place，XIP），程序可以直接在nor内运行
- CFI接口：公共闪存接口（Common Flash Interface，CFI）是一个从nor Flash器件中读取数据的公开、标准接 口。它可以使系统软件查询已安装的Flash器件的各种参数，包括器件阵列结构参数、电气和时间参数以 及器件支持的功能等。如果芯片不支持CFI，就需使用JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council， 电子电器设备联合会）了。JEDEC规范的nor则无法直接通过命令来读出容量等信息，需要读出制造商 ID和设备ID，以确定Flash的大小
- SPI接口：目前nor Flash可以使用SPI接口进行访问以节省引脚。相对于传统的并行nor Flash 而言，SPI nor Flash只需要6个引脚就能够实现单I/O、双I/O和4个I/O口的接口通信，有的SPI nor Flash 还支持DDR模式，能进一步提高访问速度到80MB/s
- 特点：
Nand Flash
- NAND Flash和cpu的接口必须由相应的控制电路进行转换，当然也可以通过地址线或GPIO产生NAND Flash接口的信号
- NAND Flash以块方式进行访问，不支持芯片内执行
- 与nor Flash的类SRAM接口不同，一个NAND Flash的接口主要包含如下信号：
- I/O总线：地址、指令和数据通过这组总线传输，一般为8位或16位。
- 芯片启动（Chip Enable，CE#）：如果没有检测到CE信号，NAND器件就保持待机模式，不对任何控制信号做出响应
- 写使能（Write Enable，WE#）：WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。
- 读使能（Read Enable，RE#）：RE#允许数据输出。
- 指令锁存使能（Command Latch Enable，CLE）：当CLE为高电平时，在WE#信号的上升沿，指令将 被锁存到NAND指令寄存器中
- 地址锁存使能（Address Latch Enable，ALE）：当ALE为高电平时，在WE#信号的上升沿，地址将被 锁存到NAND地址寄存器中
- 就绪/忙（Ready/Busy，R/B#）：如果NAND器件忙，R/B#信号将变为低电平。该信号是漏极开路， 需要采用上拉电阻
- 特点：
位反转
块擦除
nor Flash与Nand Flash的其他区别
三、RAM（随机存取存储器）
- 概念：内存，一般在电路板上有多个引脚的芯片，就是内存芯片
- 这里说的内存一般都是运行内存，对应计算机的内存条。通常人们说的存储内存对应计算机中的硬盘（外存）
- 分类：
- ①静态RAM（SRAM）
- SRAM是静态的， 只要供电它就会保持一个值，SRAM没有刷新周期
- 每个SRAM存储单元由6个晶体管组成
- ②动态RAM（DRAM）
- DRAM以电荷形式进行存储，数据存储在电容器中。由于电容器会因漏电而出现电荷丢失，所以DRAM器件需要定期刷新
- DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成
- 通常所说的SDRAM、DDR SDRAM皆属于DRAM的范畴，它们采用与cpu外存控制器同步的时钟工作（注意，不是与cpu的工作频率一致）。与SDRAM相比，DDR SDRAM同时利用了时钟脉冲的上升沿 和下降沿传输数据，因此在时钟频率不变的情况下，数据传输频率加倍。此外，还存在使用 RSL（Rambus Signaling Level，Rambus发信电平）技术的RDRAM（Rambus DRAM）和Direct RDRAM
- ①静态RAM（SRAM）
- 特性：
- 临时存储数据，掉电会丢失数据，读写速度快
- 容量：1MB-4GB都有
- 贴片式：TSOP、BGA封装
DPRAM：双端口RAM
- DPRAM的特点是可以通过两个端口同时访问，具有两套完全独立的数据总线、地址总线和读写控制 线，通常用于两个处理器之间交互数据，如下图所示：
- 当一端被写入数据后，另一端可以通过轮询或中断获知，并读取其写入的数据。由于双cpu同时访问DPRAM时的仲裁逻辑电路集成在DPRAM内部，所以 需要硬件工程师设计的电路原理比较简单
- DPRAM的优点是通信速度快、实时性强、接口简单，而且两边处理器都可主动进行数据传输
- 除了双端口RAM以外，目前IDT等芯片厂商还推出了多端口RAM，可以供3个以上的处理器互通数据
CAM：内容寻址RAM
- CAM是以内容进行寻址的存储器，是一种特殊的存储阵列RAM，它的主要工作机制就是同时将一个 输入数据项与存储在CAM中的所有数据项自动进行比较，判别该输入数据项与CAM中存储的数据项是否 相匹配，并输出该数据项对应的匹配信息
- 如下图所示，在CAM中，输入的是所要查询的数据，输出的是数据地址和匹配标志。若匹配（即搜 寻到数据），则输出数据地址。CAM用于数据检索的优势是软件无法比拟的，它可以极大地提高系统性 能
FIFO存储器：先进先出队列
四、光/磁介质储存器
- IDE（Integrated Drive Electronics）接口可连接硬盘控制器或光驱，IDE接口的信号与SRAM类似。人 们通常也把IDE接口称为ATA（Advanced Technology Attachment）接口，不过，从技术角度而言，这并不准 确。其实，ATA接口发展至今，已经经历了ATA-1（IDE）、ATA-2（Enhanced IDE/Fast ATA，EIDE）、 ATA-3（FastATA-2）、Ultra ATA、Ultra ATA/33、Ultra ATA/66、Ultra ATA/100及Serial ATA（SATA）的发 展过程
- 很多SoC集成了一个eFuse电编程熔丝作为OTP（One-Time Programmable，一次性可编程）存储器。 eFuse可以通过计算机对芯片内部的参数和功能进行配置，这一般是在芯片出厂的时候已经设置好了
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点与技术仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至 [email protected] 举报，一经查实，本站将立刻删除。
