一次失败的S32K模拟EEPROM经历

 

因为项目需要，使用S32K的内部flash模拟EEPROM使用。于是自然是查看数据手册，参考官方DEMO，准备操作。
根据手册内部flash map如下图

可见其中可配置存储分为FLEXNVM和FLEXRAM，根据手册解释：

FlexNVM为可配置非优化存储器，相当于flash。
FlexRAM 可配置RAM，可配置为传统RAM或者存储仿真EEPROM数据。所以当然优先选用FlexRAM来模拟EEPROM，而且NXP官方提供的DEMO也是选用FlexRAM来模拟，如下图所示：

FlexRAM可配置为2K和4K，并且可按字节擦写，擦除10K次，一切都和普通EEPROM的操作类似，仅看代码和测试过程是完美模拟了EERPOM，后面的工作就相对简单了，把官方驱动移植到自己的项目中，封装自己的接口，单步调试，功能测试OK，准备交代码了。
但是测试工程师在实测的时候发现，每块新板子的EEPROM功能初始化都卡住，返工检查发现，每块芯片跑代码的时候都会在第一次分区的时候卡主引起芯片重启，追踪发现，出现具体问题的代码是
FLASH_DRV_DEFlashPartition->FLASH_DRV_CommandSequence中flash状态在等待CCIF标记时引起重启。但是如果执行单步调试，则可以等待到该状态标记位，通过分区初始化，并且只要一次初始化成功，以后都不会影响功能。
找到问题后，立马去搜索问题解决办法，发现很多都有类似的问题，在DS中测试官方代码是没有问题的，但是移植到其他IDE下会出现重启故障，解决方案是将初始化代码重定位到RAM中去执行，我司项目使用的IAR，所以参考官方的ld文件修改自己的icf文件

添加自己的EEPROM段，但是实测发现仍然会有重启故障，折腾了两天后发现此路不同，所以放弃了在FlexRAM中模拟EEPROM。
在FlexNVM中模拟EEPROM，必须考虑对齐的问题，因为FlexNVM的擦除是按照Sector为单位的，芯片默认的Sector为2048，也就是一次擦除2K大小的存储，而写FlexNVM则是按照一个最小存储单元来写的，也就是按照4字节对齐写入，所以在做底层的时候必须考虑对齐的问题，在底层自动将不满4字节长度填满。相对来说没有FlashRAM灵活，但是由于这一块空间比较大（默认64K），所以也有自己的优点，只要做好底层，对于应用来说没有区别。希望各位大神做过FlexRAM模拟的发给我一份代码参考一下（邮箱[email protected]），谢谢！